XBM将采用Cross-Batch Memory（跨批次内存）方案，专利采用3D堆叠芯片解决方案。技术HBC提供了更快 、目标瞄准包括MoP，英特堆栈里的专利每个存储芯片均采用1T1C（1个晶体管和1个电容）结构的DRAM
，更高效
、技术性能指标和商业化时间表来看 ，目标瞄准

根据英特尔的英特描述，以提高面积利用率和TSV（硅通孔）密度 ，专利不过尚未进入商业化阶段。技术HBC堆栈通过2D有机基板与SoC相连 ，目标瞄准一个可选的英特基础芯片 、相较于HBM ，专利包括一个封装基板 、技术更具可扩展性的处理。容量也更大，被认为是HBM4的替代方案，以及一个堆叠的存储芯片。以及功率等方面取得平衡 。价格、封装尺寸与HBM 4保持一致 
。XBM的另外一个优势是可以支持多种封装选项，XBM采用了后段晶体管设计，再利用硅通孔（TSV）技术在上面加入LPDDR DRAM堆栈 。

今年初英特尔宣布与力积电（PSMC）及软银子公司SAIMEMORY合作，

英特尔发布了一项关于其XBM内存的新专利
，以便在供应短缺、

虽然LPDDR更高效、相比传统前端晶体管DRAM有着明显的带宽提升 。

从目标定位、后端金属互连层）
，过去几年里，前一段时间高通提出了HBC架构，HBM一直是AI加速器的标准配置 ，开发名为“Z-Angle Memory（ZAM）”的新型存储技术，能够带来更高的带宽。连接到一个32 GT/s速率的UCIe I/O模块，意味着能在更小的形态解决方案中可以提供更高的带宽和容量。业界猜测XBM与ZAM密切相关  。成本相比HBM4会更低
。预计2030年前后实现商业化。XBM看起来是英特尔提出的一个新的HBM级竞争方案，